Синфазный дроссель Аморфные нанокристаллические индукторы

Бс（Т）

1.2

Hc (А/м)

<2

Тс（℃）

570

Передача (℃)

500

Коэффициент ламинирования

>0,75

толщина (мм)

0,020～0,035

λs

<2×10-6

рабочая температура℃

-40～130

μi (высокий Br, 0,8T)

180 000

μi (средний Br, 0,4T)

100 000

μi (низкий Br, 0,1T)

30 000

потери P (400 Гц, 1,0 Т), (Вт/кг)

<1,5

потери P (5 кГц, 1,0 Т), (Вт/кг)

<15

потери P (20 кГц, 0,5T), (Вт/кг)

<25

потери P (100 кГц, 0,2 Т), (Вт/кг)

<70

Номер продукта

стиль

В

Повороты

Диаметр провода

ЛН

Основная спецификация

10 кГц

（мГн）

100 кГц

（мГн）

EHC-GM02-SP151

один этап

2

16

0,55*1П

8.0

1.7

15*10*6

EHC-GM05-SP152

один этап

5

10

0,9*1П

2.9

0.6

15*10*6

EHC-GM05-SP201

один этап

5

13

0,9*1П

9.0

1.8

20*12*8

EHC-GM08-SP203

один этап

8

10

1,15*1П

5.8

1.2

20*12*8

EHC-GM10-SP251

один этап

10

16

1,25*1П

7.8

1.6

25*20*10

EHC-GM12-SP252

один этап

12

11

1,4*1П

7.5

1.6

25*16*10

EHC-GM15-SP301

один этап

15

13

1,55*1П

9.5

1.9

30*20*10

EHC-GM20-SP321

один этап

20

11

1,8*1П

7.5

1.6

32*20*10

EHC-GM25-SP331

один этап

25

9

1,4*2П

6

1.2

33*23*15

EHC-GM30-SP401

один этап

30

11

1,8*2П

5

1.1

40*32*15

EHC-GM30-TP402

трехфазный

30

7

2,0*1П

2.2

0.45

40*32*15

EHC-GM40-SP501

один этап

40

9

2,24*2П

4.0

1.0

50*40*20

EHC-GM40-TP502

трехфазный

40

7

2,24*2П

2.5

0.55

50*40*20

EHC-GM60-SP502

один этап

60

9

2,8*2П

6.0

1.5

65*50*25

EHC-GM60-TP502

трехфазный

60

6

2,8*2П

2.8

0.65

65*50*25